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氮化鎵;
	;
	;
	; IUPAC名; Gallium nitride;
识别;
; CAS号;	; 25617-97-4
; PubChem;	; 117559;
; ChemSpider;	; 105057;
; SMILES;	; ; ; [Ga]#N; ;
; InChI;	; ; ; 1/Ga.N/rGaN/c1-2; ;
; InChIKey;	; JMASRVWKEDWRBT-MDMVGGKAAI;
; RTECS;	LW9640000;
性质;
; 化学式;	; GaN;
; 摩尔质量;	83.73 g/mol g·mol⁻¹;
外观;	黃色粉末;
; 密度;	6.15 g/cm3
; 熔点;	>2500°C
; 溶解性（水）;	會和水反應;
; 能隙;	3.4 eV（300 K, direct） eV;
; 电子迁移率;	440 cm2/（V·s，300 K）;
; 熱導率;	2.3 W/（cm·K，300 K）
; 折光度n; D;	2.429;
结构;
; 晶体结构;	; 纖鋅礦;
; 空间群;	; C6v4-P63mc;
; 晶格常数;	; a = 3.186 Å, c = 5.186 Å
; 配位几何;	正四面體;
危险性;
欧盟编号;	未列出;
; 闪点;	不可燃;
相关物质;
其他阴离子;	; 磷化鎵; 砷化鎵; 銻化鎵;
其他阳离子;	; 氮化硼; 氮化鋁; 氮化銦;
相关化学品;	; 砷化鋁鎵; 砷化銦鎵; 磷鉮化鎵; 氮化鋁鎵; 氮化銦鎵;
	若非注明，所有数据均出自一般条件（25 ℃，100 kPa）下。;

氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。

如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性^[4]。相比砷化镓 (GaAs) 晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。

參考資料

^ T. Harafuji and J. Kawamura. Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 2004, 96 (5): 2501. doi:10.1063/1.1772878.

^ Mion, Christian. "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique." Diss. North Carolina State University. Raleigh, 2005. Web, Aug 12, 2011. http://repository.lib.ncsu.edu/ir/bitstream/1840.16/5418/1/etd.pdf.

^ Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30

^ Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon; Smalley, Ken. Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress (PDF). GOMAC Tech Conference. March 2011.

外部链接

（英文）Ioffe data archive

[melting-1] T. Harafuji and J. Kawamura. Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 2004, 96 (5): 2501. doi:10.1063/1.1772878.

[2] Mion, Christian. "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique." Diss. North Carolina State University. Raleigh, 2005. Web, Aug 12, 2011. http://repository.lib.ncsu.edu/ir/bitstream/1840.16/5418/1/etd.pdf.

[3] Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30

[4] Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon; Smalley, Ken. Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress (PDF). GOMAC Tech Conference. March 2011.

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IUPAC名 Gallium nitride
识别
CAS号	25617-97-4
PubChem	117559
ChemSpider	105057
SMILES	[Ga]#N
InChI	1/Ga.N/rGaN/c1-2
InChIKey	JMASRVWKEDWRBT-MDMVGGKAAI
RTECS	LW9640000
性质
化学式	GaN
摩尔质量	83.73 g/mol g·mol⁻¹
外观	黃色粉末
密度	6.15 g/cm³
熔点	>2500°C^[1]
溶解性（水）	會和水反應
能隙	3.4 eV（300 K, direct） eV
电子迁移率	440 cm²/（V·s，300 K）
熱導率	2.3 W/（cm·K，300 K）^[2]
折光度n D	2.429
结构
晶体结构	纖鋅礦
空间群	C_6v⁴-P6₃mc
晶格常数	a = 3.186 Å, c = 5.186 Å ^[3]
配位几何	正四面體
危险性
欧盟编号	未列出
闪点	不可燃
相关物质
其他阴离子	磷化鎵砷化鎵銻化鎵
其他阳离子	氮化硼氮化鋁氮化銦
相关化学品	砷化鋁鎵砷化銦鎵磷鉮化鎵氮化鋁鎵氮化銦鎵
若非注明，所有数据均出自一般条件（25 ℃，100 kPa）下。