njtynhj

氮化鎵;
	;
	;
	; IUPAC名; Gallium nitride;
识别;
; CAS号;	; 25617-97-4
; PubChem;	; 117559;
; ChemSpider;	; 105057;
; SMILES;	; ; ; [Ga]#N; ;
; InChI;	; ; ; 1/Ga.N/rGaN/c1-2; ;
; InChIKey;	; JMASRVWKEDWRBT-MDMVGGKAAI;
; RTECS;	LW9640000;
性质;
; 化学式;	; GaN;
; 摩尔质量;	83.73 g/mol g·mol⁻¹;
外观;	黃色粉末;
; 密度;	6.15 g/cm3
; 熔点;	>2500°C
; 溶解性（水）;	會和水反應;
; 能隙;	3.4 eV（300 K, direct） eV;
; 电子迁移率;	440 cm2/（V·s，300 K）;
; 熱導率;	2.3 W/（cm·K，300 K）
; 折光度n; D;	2.429;
结构;
; 晶体结构;	; 纖鋅礦;
; 空间群;	; C6v4-P63mc;
; 晶格常数;	; a = 3.186 Å, c = 5.186 Å
; 配位几何;	正四面體;
危险性;
欧盟编号;	未列出;
; 闪点;	不可燃;
相关物质;
其他阴离子;	; 磷化鎵; 砷化鎵; 銻化鎵;
其他阳离子;	; 氮化硼; 氮化鋁; 氮化銦;
相关化学品;	; 砷化鋁鎵; 砷化銦鎵; 磷鉮化鎵; 氮化鋁鎵; 氮化銦鎵;
	若非注明，所有数据均出自一般条件（25 ℃，100 kPa）下。;

氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。

如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性^[4]。相比砷化镓 (GaAs) 晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。

參考資料

^ T. Harafuji and J. Kawamura. Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 2004, 96 (5): 2501. doi:10.1063/1.1772878.

^ Mion, Christian. "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique." Diss. North Carolina State University. Raleigh, 2005. Web, Aug 12, 2011. http://repository.lib.ncsu.edu/ir/bitstream/1840.16/5418/1/etd.pdf.

^ Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30

^ Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon; Smalley, Ken. Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress (PDF). GOMAC Tech Conference. March 2011.

外部链接

（英文）Ioffe data archive

[melting-1] T. Harafuji and J. Kawamura. Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 2004, 96 (5): 2501. doi:10.1063/1.1772878.

[2] Mion, Christian. "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique." Diss. North Carolina State University. Raleigh, 2005. Web, Aug 12, 2011. http://repository.lib.ncsu.edu/ir/bitstream/1840.16/5418/1/etd.pdf.

[3] Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30

[4] Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon; Smalley, Ken. Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress (PDF). GOMAC Tech Conference. March 2011.

搜尋此網誌

njtynhj

氮化鎵

相關條目

參考資料

外部链接

Popular posts from this blog

The Dalles, Oregon

영화 미래의 미라이 다시보기 (2018) 다운로드 링크 무료보기

Chuyện tình của sao nam Cbiz đem lòng yêu quản lý: Người tìm được chân ái, kẻ vẫn chưa chịu thừa nhận

氮化鎵


IUPAC名 Gallium nitride
识别
CAS号	25617-97-4
PubChem	117559
ChemSpider	105057
SMILES	[Ga]#N
InChI	1/Ga.N/rGaN/c1-2
InChIKey	JMASRVWKEDWRBT-MDMVGGKAAI
RTECS	LW9640000
性质
化学式	GaN
摩尔质量	83.73 g/mol g·mol⁻¹
外观	黃色粉末
密度	6.15 g/cm³
熔点	>2500°C^[1]
溶解性（水）	會和水反應
能隙	3.4 eV（300 K, direct） eV
电子迁移率	440 cm²/（V·s，300 K）
熱導率	2.3 W/（cm·K，300 K）^[2]
折光度n D	2.429
结构
晶体结构	纖鋅礦
空间群	C_6v⁴-P6₃mc
晶格常数	a = 3.186 Å, c = 5.186 Å ^[3]
配位几何	正四面體
危险性
欧盟编号	未列出
闪点	不可燃
相关物质
其他阴离子	磷化鎵砷化鎵銻化鎵
其他阳离子	氮化硼氮化鋁氮化銦
相关化学品	砷化鋁鎵砷化銦鎵磷鉮化鎵氮化鋁鎵氮化銦鎵
若非注明，所有数据均出自一般条件（25 ℃，100 kPa）下。